Новосибирский завод полупроводниковых приборов — финансовая и юридическая информация.
История
Строительство завода по производству сверхминиатюрных ламп особой прочности спецназначения, предназначенных для взрывателей снарядов зенитной артиллерии, началось в Новосибирске в 1950 году. В соответствии с приказом министра радиопромышленности СССР № 177 завод введён в частичную эксплуатацию 12 июля 1956 года. Сотрудничество с вузами
На базе базового центра проектирования (дизайн-центра) ОКБ создан и действует учебный центр в составе филиалов трех базовых кафедр Новосибирского государственного технического университета и Сибирского государственного университета телекоммуникаций и информатики.
Совместно с Институтом физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и АО «Росэлектроника» предприятие участвует в разработке полупроводниковых пластин для фоточувствительных приемников нового поколения.
Совместно с Институтом физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и компаниями SVTC и Sygma-Group предприятие входит в кластер микро-, нано- и биоэлектроники. Руководители
Награды
Санкции США
В 2015 году правительством США в отношении НЗПП с ОКБ были введены санкции. Литература
Если Вас заинтересовала информация о компании «Новосибирский завод полупроводниковых приборов»:
— Ниже на странице вы можете видеть взаимосвязанные статьи (при их наличии).
— Обратите внимание на ссылки, имеющиеся в статье, за ними содержится дополнительная информация.
— Воспользуйтесь поиском на сайте для получения дополнительных материалов по интересующей вас теме.
Вы можете отредактировать информацию о компании «Новосибирский завод полупроводниковых приборов». Подробности в разделе «Добавить».
